Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл
Аннотация
Выполнены термодинамические расчеты при стандартных условиях химических реакций, протекающих при сульфидной пассивации поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge), нитридов галлия, индия, алюминия (GaN, InN, AlN). Осуществление сульфидной пассивации нитрида алюминия, кремния и германия термодинамически вероятнее для неокис-ленной поверхности полупроводников, контактирующей с газовой фазой, содержащей серу или сероводород. Существует термодинамическая вероятность сульфидирования окисленной поверхности германия из газовой фазы. Сульфидирование нитридов галлия и индия самопроизвольно возможно из водных растворов сульфидов щелочных металлов. Сравнение кристаллохимических параметров атомов (ковалентные и атомные радиусы), типов симметрии возможных фазовых соединений на границах раздела полупроводник-сульфид-металл и полупроводник-оксид-металл показало, что для сульфидированной поверхности полупроводника имеется большее структурное соответствие, чем для окисленной поверхности полупроводника, контактирующего с переходным металлом. При замещении атомов кислорода на атомы серы в приграничном слое между переходным металлом и полупроводником наблюдается меньший скачок в величинах электроотрицательностей элементов, образующих границу раздела фаз. Формирование с помощью сульфидной пассивации поверхности полупроводника более совершенной и стабильной (по химическим и физическим свойствам) границы раздела фаз способствует созданию выпрямляющих контактов металл-полупроводник с улучшенными электрофизическими параметрами.
DOI 10.14258/izvasu(2018)4-02
Скачивания
Metrics
Литература
Макогон Ю.Н., Сидоренко С.И., Павлова Е.П. и др. Формирование эпитаксиальных пленок CoSi2 на моно-кристаллическом кремнии : тезисы докладов международной конференции HighMatTech-2007/ под ред. В.В. Скорохода. — Киев, 2007.
Анализ быстродействия нанометровых сложнофункциональных блоков на основе интервального моделирования // Известия вузов. Электроника. — 2012. — № 4 (96).
Кузнецов Е.В., Шемякин А.В. Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы для беспроводных технологий передачи данных // Известия вузов. Электроника. — 2009. —№ 6 (80).
Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Жигальский Г.П. и др. Исследование шума вида 1/f в наноразмерных пленках золота // Известия вузов. Электроника. — 2009. — № 6 (80).
Агеев О.А. Термодинамический анализ твердофазных взаимодействий в контактах Ni/SiC // Известия вузов. Электроника. — 2005. — № 1.
Николлиан Э., Синха А. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контакта металл-полупроводник // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / под ред. Дж. Поута. — М., 1983.
Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. — М., 2000.
Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. — М., 1991.
Минаев В.В., Уздовский В.В., Сондаевский Р.В. и др. Исследование спектральных характеристик фотоприемников с барьером Шоттки на основе р-Si-Au // Известия вузов. Электроника. — 2005. — № 1.
Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. — Томск, 1990.
Пихтин А.Н., Тарасов С. А., Kloth B. Новое значение высоты потенциального барьера Ag-n-GaP // Письма в ЖТФ. — 2002. — Т. 28. — № 20.
Matukas J., Meskinis S., Smetona S., “Low frequency noise in selenium passivated GaAs and InP Schottky contacts” // Proc. of 15th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, ed. by C. Surya. — Hong Kong, 1999.
Бессолов В.Н., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А3В5 // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32. — № 11.
Батенков В.А. Исследование электрохимических свойств арсенида галлия и германия и состояния их поверхности : дисс. ... канд. хим. наук. — Томск, 1969.
Кеслер В.Г., Ковчавцев А.П., Гузев А.А. и др. Анодное окисление арсенида индия в кислородной плазме тлеющего разряда // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. — 2010. — Т. 7. — № 4.
Свердлова А.М. Поверхностные явления в полупроводниках. — Саратов, 1985.
Венгер Е.Ф. и др. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. — 1995. — № 2.
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В. Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — T. 33. — № 6.
Сумец М.П. Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированные обработкой GaAs в парах селена : автореф. ... канд. физ.-мат. наук. — Воронеж, 1999.
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Заварин Е.Е. и др. Нанорельеф поверхности: влияние сульфидной обработки // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Т. 34. — № 11.
Антюшкин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С. и др. Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников AInBV // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37. — № 11.
Фомина Л.В., Безносюк С.А., Лебеденко С.Е. и др. Термодинамика процесса халькогенной пассивации поверхности полупроводников типа АПВ // Ползуновский вестник. — 2005. — № 4.
Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических веществ. — М., 1968.
Свойства неорганических соединений. Справочник / под ред. А.И. Ефимова. — Л., 1983.
Справочник химика. В 6 т. Т. 1. Общие сведения. Строение вещества. Свойства важнейших веществ. Лабораторная техника / под ред. Б.Н. Никольского. — М., 1963.
Физические величины. Справочник / под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. — М., 1991.
Copyright (c) 2018 С.А. Безносюк, Л.В. Фомина
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
