Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектромеханических чипов полупроводниковых соединений переменного состава Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-х</sub>Р

С.А. Безносюк; Ю.В. Терентьева; Н.С. Захарова

doi:10.14258/izvasu(2017)4-02

С.А. Безносюк Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)
Ю.В. Терентьева Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)
Н.С. Захарова Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

DOI: https://doi.org/10.14258/izvasu(2017)4-02

Ключевые слова: квантовые НЭМС, полупроводниковые наночипы, арсенид алюминия-галлия, фосфид алюминия-галлия, наночипы переменного состава

Аннотация

Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава Al_xGa_1-xP. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы Al_xGa_1-xP, состоящие из 6400 атомов размером 20×20×2 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Al - P и Ga - P. Устойчивость наночипов переменного состава Al_xGa_1-xP исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава Al_xGa_1-xP незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке A³ в наночипах соединений состава Al_xGa_1-xP достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента A³. При х = 0,5 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии.

DOI 10.14258/izvasu(2017)4-02

Скачивания

Данные скачивания пока не доступны.

Биографии авторов

С.А. Безносюк, Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

доктор физико-математических наук, заведующий кафедрой физической и неорганической химии

Ю.В. Терентьева, Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической и неорганической химии

Н.С. Захарова, Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

студентка химического факультета

Литература

Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. — М., 1975.

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник. — М., 1991.

Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М., 2009.

Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ-транзисторы на широкозонных полупроводниках. — М., 2011.

Безносюк С.А., Терентьева Ю.В., Придчина С.А. Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектро-механических чипов полупроводниковых соединений переменного состава ZnS1-xSex. // Известия Алтайского гос. ун-та. — 2016. — №1(89). DOI: 10.14258/izvasu(2016)1-02.

Лебеденко С.Е. Физико-химические аспекты и компьютерное моделирование формирования нанослоевых структур выпрямляющих контактов : дис. ... канд. хим. наук. — Барнаул, 2007.

Зюзин Ю.Б. Обзор изобретений «Полупроводниковые приборы и интегральные схемы». Ч. 1-3 // Аналитические обзоры [Электронный ресурс]. Scitechlibrary.com. — 2003.

Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия). — М., 1974.

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. — М., 2000.

Бокий ГБ. Кристаллохимия. — М., 1971.

Многоуровневое строение, физико-химические и инфомационные свойства вещества / С. А. Безносюк, А. И. Потекаев, М. С. Жуковский, Т. М. Жуковская, Л. В. Фомина. — Томск, 2005.

Безносюк С.А., Жуковский М.С., Важенин С.В., Лерх Я.В. КомпНаноТех / Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2009613043 от 10 июня 2009 г.