Компьютерное моделирование устойчивости полупроводниковых наноэлектромеханических систем AIIBIVAs2 после аттосекундного импульсного воздействия

УДК 541.1

  • Анастасия Александровна Гайдукова Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: gaidukova-anastasiya@mail.ru
  • Юлия Владимировна Терентьева Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: zyv1985@mail.ru
  • Сергей Александрович Безносюк Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: bsa1953@mail.ru
Ключевые слова: аттосекундная физика, наноэлектро-механические системы, тройные полупроводники, арсениды, соединения переменного состава, радиальная функция распределения, кинетическая кривая, компьютерное моделирование

Аннотация

Рассматривается компьютерное моделирование отклика многокомпонентных полупроводниковых наноэлектромеханических систем арсенидов на аттосекундный импульс излучения при криогенной (T1=77 K) и стандартной температуре (Т2=298К). Построены кинетические кривые релаксационных процессов, происходящих в тройных полупроводниковых нанослоях: CdSiAs2, CdGeAs2, ZnSiAs2, ZnGeAs2 и нанослоях переменного состава: CdSi1-xGex As2, ZnSi1-xGexAs2, Cd1-xZnxSiAs2 и Cd1-xZnxGeAs2. Показаны различия в средней энергии релаксации нанослоев в зависимости от температуры, а также амплитуды колебания значений энергии и времени выхода на плато. Показано сравнение с релаксационными процессами, проходящими при абсолютном нуле температур. Рассмотрены радиальные функции распределения атомов в системе до и после релаксационных процессов, вызванных импульсным воздействием на систему атомов в полупроводниковом слое. Описана модификация пиков координационных сфер распределения атомов в зависимости от состава нанослоя. Выявлены закономерности релаксационного изменения координационных сфер первого порядка и разрушения координационных сфер второго и третьего порядка при криогенной и стандартной температурах.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Metrics

Загрузка метрик ...

Биографии авторов

Анастасия Александровна Гайдукова , Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

магистрант Института химии и химико-фармацевтических технологий

Юлия Владимировна Терентьева , Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической и неорганической химии

Сергей Александрович Безносюк , Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия)

профессор, доктор физико-математических наук, заведующий кафедрой физической и неорганической химии

Литература

Verma A. S. Thermal properties of chalcopyrite semiconductors // Philosophical Magazine. 2009. Vol. 89. № 2.

Jiawei L., Shifu Z., Beijun Z. XPS Analysis and Determination of Surface Damage Layer of CdGeAs2 Single Crystal // Rare Metal Materials and Engineering. 2015. Vol. 44. № 4.

AchantaV.G. Surface waves at metal-dielectric interfaces: Material science perspective // Surface waves at metal-dielectric interfaces: Material science perspective. 2020. Vol. 5.

Koroleva L.I., Zashchirinskii D.M., Khapaeva T.M. Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: A new materials for spintronics // Journal of magnetism and magnetic materials. 2011. Vol. 323. No. 23.

Novotortsev V.M., Palkina K.K., Mikhailov S.G. Synthesis and Structure of Mn-Doped CdGeAs2 Single Crystals // Inorg Mater. 2005. Vol. 41. № 5.

Demin R.V., Koroleva L.I., Marenkin S.F., et al. Mn doped CdGeAs2 Chalcopyrite: A New Ferromagnet with a Curie Temperature of 355 K // XIX Mezhdunarodnaya shkola-seminar po novym magnitnym materialam mikroelekt-roniki (XIX Int. Workshop on New Magnetic Materials for Microelectronics). M., 2004.

Volkov D.A., Terenteva Y.V., Beznosyuk S.A. Attosecond nanotechnology: Quantum dots of nanoelectromechanical systems of CuInxGa1-xS2 compounds // Bulletin of the university of Karaganda-chemistry. 2019. Vol. 95. № 3.

Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Волков Д.А., Гайдукова А.А., Лысенко А.С. Компьютерное моделирование устойчивости нанослоев селенида цинка, легированных железом, подвергшихся импульсному воздействию // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2020. Т. 17. № 3.

Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Волков Д.А. Компьютерное моделирование устойчивости легированных марганцем морфологических модификаций квантовых НЭМС диарсенида цинка-кремния // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2020. Т. 17. № 4.

Zawilski K.T., Schunemann P.G., Pollak T.M. Glass formation and optical properties of CdGeAs2 // Journal of Crystal Growth. 2008. Vol. 310. № 7-9.

Boukabrine F., Chiker F., Khachai H. Ab initio calculation of ZnSiAs2 and CdSiAs2 semiconductor compounds // Physica B: Condensed Matter. 2011. Vol. 406. № 2.

Xu B., Han H., Sun J. The structural, electronic and optical properties of the chalcopyrite semiconductor ZnSiAs2 // Physica B: Condensed Matter. 2009. Vol. 404. № 8-11.

Опубликован
2021-09-10
Как цитировать
Гайдукова А. А., Терентьева Ю. В., Безносюк С. А. Компьютерное моделирование устойчивости полупроводниковых наноэлектромеханических систем AIIBIVAs2 после аттосекундного импульсного воздействия // Известия Алтайского государственного университета, 2021, № 4(120). С. 24-29 DOI: 10.14258/izvasu(2021)4-03. URL: http://izvestiya.asu.ru/article/view/%282021%294-03.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)