Компьютерное моделирование многослойных наночастиц на базе элементарных полупроводников

539.2:004.414:541.128:004.414

  • Юлия Владимировна Терентьева Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия Email: zyv1985@mail.ru
  • Сергей Александрович Безносюк Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия Email: bsa1953@mail.ru
Ключевые слова: компьютерное моделирование, кремний, германий, алмазоподобные полупроводники, нанослоевые полупроводники

Аннотация

Представлены результаты компьютерного моделирования алмазоподобных наночастиц, состоящих из кремния и германия, а также слоевых полупроводников различной нуклеарности с чередующимися слоями. Было построено 16 моделей наночастиц размером 3-3-3 элементарные ячейки и размером 5-5-5 элементарных ячеек с различным чередованием слоев кремния и германия.

Методом нелокального функционала плотности были получены равновесные параметры связей пар атомов, входящих в кристаллическую структуру исследуемых НЭМС с различным морфологическим строением. Методами молекулярной механики была изучена зависимость энергии исследуемых наночастиц от размера, состава, а также последовательности чередования слоев кремния и германия.

Показано незначительное изменение межатомного расстояния в полупроводниковых системах с алмазоподобной структурой и в НЭМС состоянии. Системы, имеющие в своем составе только атомы кремния, оказались энергетически более устойчивы, чем системы, состоящие только из атомов германия. Внедрение атомов германия в кремниевые системы понижает термодинамическую стабильность частицы, в то время как внедрение атомов кремния в германиевые наночастицы повышает их устойчивость. Появление в наночастице связей типа кремний — германий стабилизирует частицы из германия и дестабилизирует частицы из кремния.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Metrics

Загрузка метрик ...

Биография автора

Юлия Владимировна Терентьева, Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической и неорганической химии

Литература

Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н. Материалы современной электроники. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2014. 272 с.

Терентьева Ю.В. Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов : дисс. .. .канд. физ.-мат. наук : 02.00.04. Барнаул, 2013. 138 с.

Кеслер В.Г. Взаимная диффузия в GexSi1 x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ : дисс. .канд. физ.-мат. наук : 01.04.10. Новосибирск, 2005. 218 с.

Лобанов Д.Н. Исследования особенностей роста и фотолюминесценции Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на Si(001) подложках и напряженных Si; xGex слоях : дисс. .канд. физ.-мат. наук : 01.04.07. Нижний Новгород, 2006. 159 с.

Карпенко Е.С., Курдюмов Н.Е., Хованова А.О. Свойства германия в макро- и наноструктурах // Международный студенческий научный вестник. 2018. №6. С. 183-188.

Каплунов И.А., Рогалин В.Е. Оптические свойства и области применения германия в фотонике // Фотоника. 2019. Т. 13 № 1. С. 88-106. DOI: 10.22184/FRos.2019.13.1.88.106

Терентьева Ю.В., Белоусова Е.С., Безносюк С.А. Компьютерное моделирование наноструктур на основе кремния-германия // Актуальные проблемы биофармации, материаловедения и химической биотехнологии : Региональная научно-практическая конференция молодых ученых, 20-27 апреля 2017 г. Барнаул: АлтГУ, 2017. С. 120-125.

Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Белоусова Е.С. Компьютерное моделирование НЭМС твердых растворов кремния-германия // Многоядерные процессоры, параллельное программирование, ПЛИС, системы обработки сигналов. 2017. № 7. С. 143-149.

Barthelmy D. Germanium (Германий), структурный тип — diamond // Кристаллографическая и кристаллохимическая база данных для минералов и их структурных аналогов www-Минкрист. URL: http://database.iem.ac.ru/ mincryst/rus/s_carta.php?GERMANIUM+1740 (дата обращения: 01.12. 2023).

Опубликован
2024-04-05
Как цитировать
Терентьева Ю. В., Безносюк С. А. Компьютерное моделирование многослойных наночастиц на базе элементарных полупроводников // Известия Алтайского государственного университета, 2024, № 1(135). С. 61-66 DOI: 10.14258/izvasu(2024)1-08. URL: http://izvestiya.asu.ru/article/view/%282024%291-08.