Компьютерное моделирование устойчивости полупроводниковых наноэлектромеханических систем AIIBIVAs2 после аттосекундного импульсного воздействия
УДК 541.1
Аннотация
Рассматривается компьютерное моделирование отклика многокомпонентных полупроводниковых наноэлектромеханических систем арсенидов на аттосекундный импульс излучения при криогенной (T1=77 K) и стандартной температуре (Т2=298К). Построены кинетические кривые релаксационных процессов, происходящих в тройных полупроводниковых нанослоях: CdSiAs2, CdGeAs2, ZnSiAs2, ZnGeAs2 и нанослоях переменного состава: CdSi1-xGex As2, ZnSi1-xGexAs2, Cd1-xZnxSiAs2 и Cd1-xZnxGeAs2. Показаны различия в средней энергии релаксации нанослоев в зависимости от температуры, а также амплитуды колебания значений энергии и времени выхода на плато. Показано сравнение с релаксационными процессами, проходящими при абсолютном нуле температур. Рассмотрены радиальные функции распределения атомов в системе до и после релаксационных процессов, вызванных импульсным воздействием на систему атомов в полупроводниковом слое. Описана модификация пиков координационных сфер распределения атомов в зависимости от состава нанослоя. Выявлены закономерности релаксационного изменения координационных сфер первого порядка и разрушения координационных сфер второго и третьего порядка при криогенной и стандартной температурах.
Скачивания
Metrics
Литература
Verma A. S. Thermal properties of chalcopyrite semiconductors // Philosophical Magazine. 2009. Vol. 89. № 2.
Jiawei L., Shifu Z., Beijun Z. XPS Analysis and Determination of Surface Damage Layer of CdGeAs2 Single Crystal // Rare Metal Materials and Engineering. 2015. Vol. 44. № 4.
AchantaV.G. Surface waves at metal-dielectric interfaces: Material science perspective // Surface waves at metal-dielectric interfaces: Material science perspective. 2020. Vol. 5.
Koroleva L.I., Zashchirinskii D.M., Khapaeva T.M. Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: A new materials for spintronics // Journal of magnetism and magnetic materials. 2011. Vol. 323. No. 23.
Novotortsev V.M., Palkina K.K., Mikhailov S.G. Synthesis and Structure of Mn-Doped CdGeAs2 Single Crystals // Inorg Mater. 2005. Vol. 41. № 5.
Demin R.V., Koroleva L.I., Marenkin S.F., et al. Mn doped CdGeAs2 Chalcopyrite: A New Ferromagnet with a Curie Temperature of 355 K // XIX Mezhdunarodnaya shkola-seminar po novym magnitnym materialam mikroelekt-roniki (XIX Int. Workshop on New Magnetic Materials for Microelectronics). M., 2004.
Volkov D.A., Terenteva Y.V., Beznosyuk S.A. Attosecond nanotechnology: Quantum dots of nanoelectromechanical systems of CuInxGa1-xS2 compounds // Bulletin of the university of Karaganda-chemistry. 2019. Vol. 95. № 3.
Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Волков Д.А., Гайдукова А.А., Лысенко А.С. Компьютерное моделирование устойчивости нанослоев селенида цинка, легированных железом, подвергшихся импульсному воздействию // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2020. Т. 17. № 3.
Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Волков Д.А. Компьютерное моделирование устойчивости легированных марганцем морфологических модификаций квантовых НЭМС диарсенида цинка-кремния // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2020. Т. 17. № 4.
Zawilski K.T., Schunemann P.G., Pollak T.M. Glass formation and optical properties of CdGeAs2 // Journal of Crystal Growth. 2008. Vol. 310. № 7-9.
Boukabrine F., Chiker F., Khachai H. Ab initio calculation of ZnSiAs2 and CdSiAs2 semiconductor compounds // Physica B: Condensed Matter. 2011. Vol. 406. № 2.
Xu B., Han H., Sun J. The structural, electronic and optical properties of the chalcopyrite semiconductor ZnSiAs2 // Physica B: Condensed Matter. 2009. Vol. 404. № 8-11.
Copyright (c) 2021 Анастасия Александровна Гайдукова , Юлия Владимировна Терентьева , Сергей Александрович Безносюк
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
