Электрические свойства пленок теллурида кадмия и барьера Шоттки на его основе (Al/СdТe)

УДК 621.315.592

  • Низом Султонов Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: sultonov_nizom@mail.ru
  • Азиза Тошпулатовна Акобирова Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: aziza.akobirova@mail.ru
  • Раджабмурод Бадриддинович Хамрокулов Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: h.rajabmurod@mail.ru
  • Одилджон Вадудович Гафуров Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: gafurovodiljon1970@gmail.com
  • Бадурдин Амируллоевич Рахматов Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: badriddin.rakhmatov.91@mail.ru
  • Умеджон Розибекович Наимов Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан) Email: umed87-88@mail.ru
Ключевые слова: барьер Шоттки, рентгенограмма, теллурид кадмия, кристаллиты, проводимость, пленка, энергия активации, межзеренные границы, вакуумная установка

Аннотация

Показано, что с ростом толщины пленок теллурида кадмия от 0,4 до 1 мкм удельное сопротивление уменьшается от 8·108 до 8,1·107 Ом·см, что равносильно возрастанию проводимости от 1,25·10-9 до 1,23·10-8 Ом-1·см-1. При толщинах выше 1 мкм удельное сопротивление и проводимость меняются слабо.

При толщинах пленок Д=0,4 мкм на рентгенограмме наблюдается один широкий максимум, что свидетельствует о несовершенстве кристаллитов. С ростом толщины до 1 мкм на рентгенограмме появляется ряд четких рефлексов с нарастающей интенсивностью, который связан с усовершенствованием кристаллической структуры пленок.

Получена вольт-амперная характеристика диода Шоттки. Показано, что с ростом прямого смещения наблюдается значительное увеличение прямого тока, а также заметное увеличение обратного тока при обратном смещении. Начальный участок прямой характеристики при напряжениях до 10 В является линейным и присущ барьерам Шоттки, однако при высоких напряжениях характеристика становится нелинейной.

Нелинейность вольт-амперной характеристики барьера Шоттки в достаточно широком диапазоне приложенного напряжения связана с эффектом границы зерен в поликристаллических пленках. А именно, при увеличении приложенного напряжения до определенного значения плотность ловушечных состояний в области границы кристаллита уменьшается, т.е. дырки начинают заполняться, что обычно наблюдается в полупроводниках, содержащих проводящие частицы в непроводящей матрице. Этот эффект мы использовали при изучении возможности изготовления детекторов ядерного излучения со структурой металл — полупроводник — металл.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Metrics

Загрузка метрик ...

Биографии авторов

Низом Султонов , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

доктор физико-математических наук, профессор кафедры физической электроники

Азиза Тошпулатовна Акобирова , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической электроники

Раджабмурод Бадриддинович Хамрокулов , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической электроники

Одилджон Вадудович Гафуров , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической электроники

Бадурдин Амируллоевич Рахматов , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

ассистент кафедры физической электроники

Умеджон Розибекович Наимов , Таджикский национальный университет (Душанбе, Таджикистан)

кандидат технических наук, ассистент кафедры физической электроники

Литература

Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы / пер. с англ. с сокр. М., 1986.

Bhattacharya R.N., Rajeshwar K. Heterojunction CdS/ CdTe Solar Cells Based on Electrodeposited p-CdTe Thin Films: Fabrication and Characterization // J. Appl. Phys. 1985. № 58.

Marsillac S., Parikh V.Y., Compaan A.D. Ultra-thin Bifacial CdTe Solarcell // Sol. Energ. Sol. C. 2007. № 91.

Kumar L., Singh B.P., Misra A. Characterization of CdSe x Te 1-x sintered filmsfor photovoltaic applications // Physica B-Condensed Matter 2005. № 1-4.

Kumar V., Khan, K.L., Singh G, Sharma, T.P, Husain M. ZnSe Sintered Films: Growth and Characterization // Appl. Surf. Sci. 2007. Vol. 253. № 7.

Campbell D.S. Handbook of Thin Film Technology / eds. L.I. Maissel, R. Glang ; McGraw-Hill Book Compani. New York. 1970.

Беляев А.П. Зибец В.А., Калинкин И.П. Электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок CdTe // Изв. вузов. Физика. 1990. № 3.

Беляев В.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП. 2003. Т. 37. № 6.

Darwish S. DC electric and photoelectric measurements of CdTe thin films in Schottky-barrier cells // Phys. B. 2004. Vol. 349.

Soshnikov A., Bilevych Ye., Darchuk L., Apatskaya M., Tsybrii Z., Vuychyk M., Boka A., Sizov F. Boelling and B. Sul-kio-Cleff. The influence of substrate materials to the properties of CdTe thin films grown by HWE // Journal of Crystal Growth. 2005.

Clark A.H., Kazmerski L.L. Polycrystalline and Amorphous Thin Film Devices // Academic. New York. 1980.

Султонов Н., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б., Наимов УР. Определение высоты барьера Шоттки на контакте металл — пленка СdТe // Наука и инновация. 2014. № 1.

Опубликован
2022-09-09
Как цитировать
Султонов Н., Акобирова А. Т., Хамрокулов Р. Б., Гафуров О. В., Рахматов Б. А., Наимов У. Р. Электрические свойства пленок теллурида кадмия и барьера Шоттки на его основе (Al/СdТe) // Известия Алтайского государственного университета, 2022, № 4(126). С. 74-78 DOI: 10.14258/izvasu(2022)4-11. URL: http://izvestiya.asu.ru/article/view/%282022%294-11.