Компьютерное моделирование многослойных наночастиц на базе элементарных полупроводников

539.2:004.414:541.128:004.414

  • Юлия Владимировна Терентьева Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия Email: zyv1985@mail.ru
  • Сергей Александрович Безносюк Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия Email: bsa1953@mail.ru
Ключевые слова: компьютерное моделирование, кремний, германий, алмазоподобные полупроводники, нанослоевые полупроводники

Аннотация

Представлены результаты компьютерного моделирования алмазоподобных наночастиц, состоящих из кремния и германия, а также слоевых полупроводников различной нуклеарности с чередующимися слоями. Было построено 16 моделей наночастиц размером 3-3-3 элементарные ячейки и размером 5-5-5 элементарных ячеек с различным чередованием слоев кремния и германия.

Методом нелокального функционала плотности были получены равновесные параметры связей пар атомов, входящих в кристаллическую структуру исследуемых НЭМС с различным морфологическим строением. Методами молекулярной механики была изучена зависимость энергии исследуемых наночастиц от размера, состава, а также последовательности чередования слоев кремния и германия.

Показано незначительное изменение межатомного расстояния в полупроводниковых системах с алмазоподобной структурой и в НЭМС состоянии. Системы, имеющие в своем составе только атомы кремния, оказались энергетически более устойчивы, чем системы, состоящие только из атомов германия. Внедрение атомов германия в кремниевые системы понижает термодинамическую стабильность частицы, в то время как внедрение атомов кремния в германиевые наночастицы повышает их устойчивость. Появление в наночастице связей типа кремний — германий стабилизирует частицы из германия и дестабилизирует частицы из кремния.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биография автора

Юлия Владимировна Терентьева, Алтайский государственный университет, Барнаул, Россия

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физической и неорганической химии

Литература

Марков В.Ф., Мухамедзянов Х.Н., Маскаева Л.Н. Материалы современной электроники. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2014. 272 с.

Терентьева Ю.В. Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов : дисс. .. .канд. физ.-мат. наук : 02.00.04. Барнаул, 2013. 138 с.

Кеслер В.Г. Взаимная диффузия в GexSi1 x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ : дисс. .канд. физ.-мат. наук : 01.04.10. Новосибирск, 2005. 218 с.

Лобанов Д.Н. Исследования особенностей роста и фотолюминесценции Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на Si(001) подложках и напряженных Si; xGex слоях : дисс. .канд. физ.-мат. наук : 01.04.07. Нижний Новгород, 2006. 159 с.

Карпенко Е.С., Курдюмов Н.Е., Хованова А.О. Свойства германия в макро- и наноструктурах // Международный студенческий научный вестник. 2018. №6. С. 183-188.

Каплунов И.А., Рогалин В.Е. Оптические свойства и области применения германия в фотонике // Фотоника. 2019. Т. 13 № 1. С. 88-106. DOI: 10.22184/FRos.2019.13.1.88.106

Терентьева Ю.В., Белоусова Е.С., Безносюк С.А. Компьютерное моделирование наноструктур на основе кремния-германия // Актуальные проблемы биофармации, материаловедения и химической биотехнологии : Региональная научно-практическая конференция молодых ученых, 20-27 апреля 2017 г. Барнаул: АлтГУ, 2017. С. 120-125.

Терентьева Ю.В., Безносюк С.А., Белоусова Е.С. Компьютерное моделирование НЭМС твердых растворов кремния-германия // Многоядерные процессоры, параллельное программирование, ПЛИС, системы обработки сигналов. 2017. № 7. С. 143-149.

Barthelmy D. Germanium (Германий), структурный тип — diamond // Кристаллографическая и кристаллохимическая база данных для минералов и их структурных аналогов www-Минкрист. URL: http://database.iem.ac.ru/ mincryst/rus/s_carta.php?GERMANIUM+1740 (дата обращения: 01.12. 2023).

References

Markov V.F., Muhamedzyanov H.N., Maskaeva L.N. Materials of Modern Electronics. Ekaterinburg: Ural University Press, 2014. 272 p. (In Russ.).

Terentyeva Yu.V. Physicochemical Conditions for the Stability of Manganese-Doped Nanolayers of Gallium Arsenide and Its Isoelectronic Aanalogues. Ph. D. thesis. Barnaul, 2013. 138 p. (In Russ.).

Kesler V.G. Mutual Diffusion in GeSi1 JSi Heterostructures Grown by MBE. Ph. D. thesis. Novosibirsk, 2005. 218 p. (In Russ.).

Lobanov D.N. Studies of the Growth and Photoluminescence Features of Ge(Si) Self-Forming Islands Grown on Si(001) Substrates and Strained Si1 xGex Layers. Ph. D. thesis. Nizhniy Novgorod, 2006. 159 p. (In Russ.).

Karpenko E.S., Kurdyumov N.E., Hovanova A.O. Properties of Germanium in Macro- and Nanostructures. Mezhdunarodnyy Studencheskiy Nauchnyy Vestnik, 2018. No 6. P. 183-188. (In Russ.).

Kaplunov I.A., Rogalin VE. Optical Properties and Applications of Germanium in Photonics. Fotonika, 2019. Vol.13. No 1. P. 88-106. DOI: 10.22184/FRos.2019.13.1.88.106 (In Russ.).

Terentyeva Yu.V., Belousova E.S., Beznosyuk S.A. Computer Simulation of Nanostructures Based on Silicon-Germa-nium. Current Problems of Biopharmacy, Materials Science and Chemical Biotechnology Regional Scientific and Practical Conference of Young Scientists, 20-27 April 2017. Barnaul: Altai State University, 2017. P 120-125. (In Russ.).

Terentyeva Yu.V, Beznosyuk S.A., Belousova E.S. NEMS Computer Simulation of Silicon-Germanium Solid Solutions. Multi-core Processors, Parallel Programming, FPGAs, Signal Processing Systems. 2017. No 7. P 143-149. (In Russ.).

Barthelmy D. Germanium (Germanium), Structural Type — Diamond. Crystallographic and Crystallochemical Database for Minerals and their Structural Analogues www-Mincrist. URL: http://database.iem.ac.ru/mincryst/rus/s_carta.php?GERMANIUM+1740/ (access date: 12.01.2023) (In Russ.).

Опубликован
2024-04-05
Как цитировать
Терентьева Ю. В., Безносюк С. А. Компьютерное моделирование многослойных наночастиц на базе элементарных полупроводников // Известия Алтайского государственного университета, 2024, № 1(135). С. 61-66 DOI: 10.14258/izvasu(2024)1-08. URL: https://izvestiya.asu.ru/article/view/%282024%291-08.