Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектромеханических чипов полупроводниковых соединений переменного состава AlxGa1-хР - Безносюк, С.А.; Терентьева, Ю.В.; Захарова, Н.С. (Известия Алтайского государственного университета)
Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава AlxGa1-xP. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы AlxGa1-xP, состоящие из 6400 атомов размером 20×20×2 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Al - P и Ga - P. Устойчивость наночипов переменного состава AlxGa1-xP исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава AlxGa1-xP незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке A3 в наночипах соединений состава AlxGa1-xP достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента A3. При х = 0,5 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии. DOI 10.14258/izvasu(2017)4-02