Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектромеханических чипов полупроводниковых соединений переменного состава Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-х</sub>Р

  • С.А. Безносюк Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: bsa1953@mail.ru
  • Ю.В. Терентьева Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: zyv1985@mail.ru
  • Н.С. Захарова Алтайский государственный университет (Барнаул, Россия) Email: nadya8191@mail.ru
Ключевые слова: квантовые НЭМС, полупроводниковые наночипы, арсенид алюминия-галлия, фосфид алюминия-галлия, наночипы переменного состава

Аннотация

Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава AlxGa1-xP. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы AlxGa1-xP, состоящие из 6400 атомов размером 20×20×2 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Al - P и Ga - P. Устойчивость наночипов переменного состава AlxGa1-xP исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава AlxGa1-xP незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке A3 в наночипах соединений состава AlxGa1-xP достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента A3. При х = 0,5 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии.

DOI 10.14258/izvasu(2017)4-02