TY - JOUR AU - А.С. Шевченко PY - 1970/01/01 Y2 - 2024/03/29 TI - Численное решение задачи о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET JF - Известия Алтайского государственного университета JA - Известия АлтГУ VL - 0 IS - 1/2(85) SE - Статьи DO - 10.14258/izvasu(2015)1.2-34 UR - http://izvestiya.asu.ru/article/view/%282015%291.2-34 AB - Рассмотрена недавно предложенная гидродинамическая MEP-модель, представляющая собой квазилинейную систему уравнений, записанных в форме законов сохранения. Эти законы сохранения получены из системы моментных соотношений для уравнения переноса Больцмана. При этом для замыкания системы моментов в модели использован принцип максимума энтропии. Гидродинамическая модель будет использована нами в данной работе для нахождения стационарных решений, описывающих движение электронов в 2D кремниевом транзисторе MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) с наноканалом из оксида кремния. Рассматриваемая математическая модель в стационарном случае сводится к системе эллиптических квазилинейных уравнений. Для нахождения приближенных решений этих уравнений используем вычислительный алгоритм, основанный на методе установления, методе прямых и на использовании различных видов нестационарной регуляризации уравнений. С этой целью написан программный комплекс на языке Object Pascal в среде Delphi 6, реализующий вычислительный алгоритм. Приведены результаты полученных решений.DOI 10.14258/izvasu(2015)1.2-34 ER -